КР198НТ3Б
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198НТ3Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 4 интегральных элементов.
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198НТ3Б представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 4 интегральных элементов.
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.