Диоды 3Л103Б излучающие, арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, бескорпусные.
Предназначены для работы в качестве источников излучения в ближнем ИК-диапазоне.
Тип диода приводится на вкладыше, помещаемом вместе с диодом в упаковку.
Масса диода не более 0,1 г.
Основные технические параметры инфракрасного излучающего диода 3Л103Б:
• Мощность излучения: не менее 0,6 мВт при 50 мА;
• Постоянное прямое напряжение: не более 1,6 В при 50 мА;
• Максимум спектрального распределения: 0,95 мкм;
• Ширина спектра излучения: 0,05 мкм;
• Время нарастания импульса излучения: 2 нс;
• Время спада импульса излучения: 2 нс;
• Максимально допустимый постоянный прямой ток: 52 мА
• Максимально допустимое обратное постоянное напряжение: 2 В;
• Максимально допустимое импульсное обратное напряжение: 2 В
Предназначены для работы в качестве источников излучения в ближнем ИК-диапазоне.
Тип диода приводится на вкладыше, помещаемом вместе с диодом в упаковку.
Масса диода не более 0,1 г.
Основные технические параметры инфракрасного излучающего диода 3Л103Б:
• Мощность излучения: не менее 0,6 мВт при 50 мА;
• Постоянное прямое напряжение: не более 1,6 В при 50 мА;
• Максимум спектрального распределения: 0,95 мкм;
• Ширина спектра излучения: 0,05 мкм;
• Время нарастания импульса излучения: 2 нс;
• Время спада импульса излучения: 2 нс;
• Максимально допустимый постоянный прямой ток: 52 мА
• Максимально допустимое обратное постоянное напряжение: 2 В;
• Максимально допустимое импульсное обратное напряжение: 2 В