Диоды АЛ132А излучающие ИК-диапазона.
Предназначены для работы в качестве источников ИК излучения.
Выпускаются в метталлическом корпусе с оптическим разъемом.
Тип диода приводится на групповой таре.
Масса диода не более 5 г.
Технические условия: аА0.336.707 ТУ.
Основные технические параметры инфракрасного излучающего диода АЛ132А:
• Мощность излучения: не менее 10 мкВт при 50 мА;
• Постоянное прямое напряжение: не более 2 В при 50 мА;
• Максимум спектрального распределения: 1,26 мкм;
• Ширина спектра излучения: 0,08 мкм;
• Время нарастания импульса излучения: 20 нс;
• Время спада импульса излучения: 20 нс;
• Максимально допустимый постоянный прямой ток: 50 мА;
• Максимально допустимый импульсный прямой ток: 1 А
• Максимально допустимое обратное постоянное напряжение: 1 В
Предназначены для работы в качестве источников ИК излучения.
Выпускаются в метталлическом корпусе с оптическим разъемом.
Тип диода приводится на групповой таре.
Масса диода не более 5 г.
Технические условия: аА0.336.707 ТУ.
Основные технические параметры инфракрасного излучающего диода АЛ132А:
• Мощность излучения: не менее 10 мкВт при 50 мА;
• Постоянное прямое напряжение: не более 2 В при 50 мА;
• Максимум спектрального распределения: 1,26 мкм;
• Ширина спектра излучения: 0,08 мкм;
• Время нарастания импульса излучения: 20 нс;
• Время спада импульса излучения: 20 нс;
• Максимально допустимый постоянный прямой ток: 50 мА;
• Максимально допустимый импульсный прямой ток: 1 А
• Максимально допустимое обратное постоянное напряжение: 1 В