3ОТ102В
Оптопары транзисторные 3ОТ102В двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ
Оптопары транзисторные 3ОТ102В двухканальные, состоящие из эпитаксиальных излучающих диодов на основе соединения галлий-алюминий-мышьяк и кремниевых фототранзисторов.
Применяются для электронной коммутации однополярного тока с гальванической развязкой между входом и выходом.
Выпускаются в пластмассовом корпусе.
Масса прибора не более 3 г.
Технические условия: ТТ3.439.001ТУ