159НТ101В
Микросхемы 159НТ101В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Масса не более 1,3 г.
Корпус типа 3101.8-8.01.
Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Микросхемы 159НТ101В представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Предназначена для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения.
Масса не более 1,3 г.
Корпус типа 3101.8-8.01.
Технические условия: АЕЯР.431410.455 ТУ.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру ( в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
