КР198НТ5Б
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы КР198НТ5Б представляют собой матрицу p-n-p транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 201.14-1, масса не более 1 г.