КР1801РЕ2Б-055
Микросхема КР1801РЕ2Б-055 представляет собой базовый матричный кристалл (БМК), содержащий 2000 вентилей.
Состоит из внутренней и периферийной части.
Внутренняя часть представляет собой матрицу 13х40, содержащую 2 ряда по 40 усилительных матричных ячеек (МБЯ) для реализации усилительных функций. Каждая МБЯ содержит 10 транзисторов. Усилительная МБЯ содержит 4 транзистора.
Периферийная часть представляет собой периферийную базовую ячейку, содержащую 20 транзисторов и контактную площадку, что позволяет осуществить 40 входов/выходов.
БИС на основе БМК позволяют заменить 60 ИС малой и средней степени интеграции.
Корпус типа 2204.42-1, масса не более 5 г.
Микросхема КР1801РЕ2Б-055 представляет собой базовый матричный кристалл (БМК), содержащий 2000 вентилей.
Состоит из внутренней и периферийной части.
Внутренняя часть представляет собой матрицу 13х40, содержащую 2 ряда по 40 усилительных матричных ячеек (МБЯ) для реализации усилительных функций. Каждая МБЯ содержит 10 транзисторов. Усилительная МБЯ содержит 4 транзистора.
Периферийная часть представляет собой периферийную базовую ячейку, содержащую 20 транзисторов и контактную площадку, что позволяет осуществить 40 входов/выходов.
БИС на основе БМК позволяют заменить 60 ИС малой и средней степени интеграции.
Корпус типа 2204.42-1, масса не более 5 г.