КР159НТ1Б
Микросхемы КР159НТ1Б представляют собой матрицу из двух n-p-n транзисторов (для построения дифференциальных усилителей).
Корпус типа 201.8-1, масса не более 1,8 г.

Предельно допустимые режимы эксплуатации:
  - Напряжение коллектор-база .......... 20 В
  - Напряжение эмиттер-база .......... 4 В
  - Напряжение между транзисторами .......... 20 В
  - Ток коллектора постоянный .......... 10 мА
  - Ток коллектора импульсный (tи = 30мкс) .......... 40 мА
  - Рассеиваемая мощность (при Т= -60 +70° С) .......... 50 мВт