504УН1Б
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1Б представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).
Содержат 5 интегральных элементов. Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г.
Изготовлена на основе полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Микросхемы 504УН1Б представляют собой малошумящий усилитель низкой частоты с высоким входным сопротивлением, выполненный на полевых транзисторах с p-n переходом и р-каналом, предназначенных для создания селективных усилителей, генераторов синусоидальных и релаксационных колебаний низкой частоты, усилителей сигналов от высокоомных датчиков (пьезо, фотоэлектрических, емкостных, детекторов излучения).
Содержат 5 интегральных элементов. Корпус типа 301.8-2, масса не более 1,5 г.
