198НТ1В
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1В представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микросхем:
- в режимах и условиях допускаемых ТУ - 100000 ч;
- в облегченных режимах при напряжениях, токах и мощностях, не превышающих 60 % от предельных значений – 120000 ч.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Изготовлена по биполярной технологии с диэлектрической изоляцией.
Микросхемы 198НТ1В представляют собой матрицу n-p-n транзисторов.
Содержат 5 интегральных элементов.
Корпус типа 401.14-5, масса не более 0,8 г.
Минимальная наработка микросхем:
- в режимах и условиях допускаемых ТУ - 100000 ч;
- в облегченных режимах при напряжениях, токах и мощностях, не превышающих 60 % от предельных значений – 120000 ч.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище – 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП – 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
