2Т830Д
Транзисторы 2Т830Д кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус транзистора металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: аА0.339.139 ТУ.