2Т312Б1
Транзисторы 2Т312Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные радиационно-стойкие.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: ЖК3.365.143ТУ/Д3.
Транзисторы 2Т312Б1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные радиационно-стойкие.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, усилителях и генераторах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-1.
Технические условия: ЖК3.365.143ТУ/Д3.