2Т878В
Транзисторы 2Т878В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 17 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.574 ТУ.
Транзисторы 2Т878В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, импульсных модуляторах, в источниках вторичного электропитания.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 17 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.574 ТУ.