2Т215Г9
Транзисторы 2Т215Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46.
Технические условия: аА0.339.518 ТУ.
Транзисторы 2Т215Г9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры специального назначения.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46.
Технические условия: аА0.339.518 ТУ.