КТ830В
Транзисторы КТ830В кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Корпус КТ830А, КТ830Б, КТ830В, КТ830Г металлический со стеклянными изоляторами и гибкими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-2-7 (TO-39).
Технические условия: АДБК.432150.125 ТУ.