2Т3123А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 выполнены на керамическом негерметизированном держателе, размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2.
Масса транзисторов не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.191 ТУ.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Транзисторы 2Т3123А-2, 2Т3123Б-2, 2Т3123В-2, КТ3123А-2, КТ3123Б-2, КТ3123В-2 выполнены на керамическом негерметизированном держателе, размеры которого соответствуют корпусу КТ-22-2.
Масса транзисторов не более 0,1 г.
Технические условия: аА0.339.191 ТУ.