2Т939А
Транзисторы 2Т939А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Технические условия: аА0.339.150 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т939А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 2500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс
Транзисторы 2Т939А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях класса А с повышенными требованиями к линейности.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с гибкими полосковыми выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-16-2.
Технические условия: аА0.339.150 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т939А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 4 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 2500 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 30 В (0,01кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,4 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 200;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5,5 пФ;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 9 пс
