2Т876В
Транзисторы 2Т876В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p переключательные.
Транзисторы 2Т876А, 2Т876Б, 2Т876В, 2Т876Г предназначены для применения в усилительных и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлическом корпусе с жесткими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 20 г.
Тип корпуса: КТ-9 (ТО-3).
Технические условия: аА0.339.560 ТУ.