2Т830В-1
Транзисторы 2Т830В-1 кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры p-n-p.
Предназначены для применения в усилителях мощности, источниках вторичного электропитания, преобразователях.
Транзисторы бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Масса транзистора - не более 0,03 г.
Технические условия: аА0.339.406ТУ.