2Т321В
Транзисторы 2Т321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.339.248 ТУ.
Транзисторы 2Т321В кремниевые, эпитаксиально-планарные структуры p-n-p импульсные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.339.248 ТУ.