ГТ328В
Транзисторы ГТ328В германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц.
Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ПЖ0.336.018 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ328В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 300 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В при 5кОм;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 15 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...50 при 5В, 3мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7 дБ на частоте 180 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
Транзисторы ГТ328В германиевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180 МГц.
Предназначены для усиления сигналов в метровом диапазоне длин волн с автоматической регулировкой усиления.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип транзистора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Технические условия: ПЖ0.336.018 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора ГТ328В:
• Структура: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 50 мВт;
• Fгр - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 300 МГц;
• Uкэr проб - Пробивное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В при 5кОм;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 0,25 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА при 15 В;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 10...50 при 5В, 3мА;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,5 пФ при 5В;
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 7 дБ на частоте 180 МГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 10 пс
