2Т665А-9
Транзисторы 2Т665А-9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Маркируются условными знаками:
   - 2Т665А9 - 2А,
   - 2Т665Б9 - 2Б,
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: KT-47 (SOT-89).
Технические условия: аА0.339.559 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора 2Т665А-9:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 мГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 120 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 40... 250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 25 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 2 Ом