2Т963Б-2
Транзисторы 2Т963Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т963А-2, 2Т963Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на кристаллодержателе.
Транзисторы 2Т963А-5 выпускаются в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Технические условия: аА0.339.175ТУ.
Транзисторы 2Т963Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях мощности в диапазоне частот 2...10 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т963А-2, 2Т963Б-2 бескорпусные на металлокерамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на кристаллодержателе.
Транзисторы 2Т963А-5 выпускаются в виде кристалла с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Технические условия: аА0.339.175ТУ.