2Т996В-2
Транзисторы 2Т996В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях класса «А» с повышенными требованиями к линейности в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом держателе с гибкими полосковыми выводами.
На крышку транзистора наносят условную маркировку:
- 2Т996А-2 - букву А,
- 2Т996Б-2 - букву Б,
- 2Т996В-2 - букву В,
- 2Т996Г-2 - букву Г.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,21 г.
Транзисторы 2Т996А-5, 2Т996Б-5, 2Т996А-5Н, 2Т996Б-5Н выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Масса транзистора не более 0,00017 г.
Технические условия: аА0.339.482 ТУ.
Транзисторы 2Т996В-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях класса «А» с повышенными требованиями к линейности в составе гибридных интегральных микросхем.
Бескорпусные на керамическом держателе с гибкими полосковыми выводами.
На крышку транзистора наносят условную маркировку:
- 2Т996А-2 - букву А,
- 2Т996Б-2 - букву Б,
- 2Т996В-2 - букву В,
- 2Т996Г-2 - букву Г.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,21 г.
Транзисторы 2Т996А-5, 2Т996Б-5, 2Т996А-5Н, 2Т996Б-5Н выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Масса транзистора не более 0,00017 г.
Технические условия: аА0.339.482 ТУ.