2Т671А-2
Транзисторы 2Т671А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 8,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т671А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.577 ТУ.
Транзисторы 2Т671А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот до 8,5 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборок.
Транзисторы 2Т671А-2 бескорпусные на керамическом кристаллодержателе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.577 ТУ.