2Т378Б1-2
Транзисторы 2Т378Б1-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Бескорпусные на кристаллодержателях с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,02 г.
Технические условия: ХА3.365.012 ТУ.