2Т663А
Кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор.
Предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.515ТУ.
Кремниевый эпитаксиально-планарный p-n-p транзистор.
Предназначен для применения в переключательных и усилительных схемах.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.339.515ТУ.