2Т624АМ-2
Транзисторы кремниеые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом 2Т624А-2 и металлическом 2Т624АМ-2, 2Т624АМ-2Н кристаллодержателях с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
- 2Т624А-2 не более 0,015 г,
- 2Т624АМ-2, 2Т624АМ-2Н не более 0,004 г.
Технические условия: Я53.365.022 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т624АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 9 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс
Транзисторы кремниеые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах в герметизированной аппаратуре.
Бескорпусные с защитным покрытием на керамическом 2Т624А-2 и металлическом 2Т624АМ-2, 2Т624АМ-2Н кристаллодержателях с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора:
- 2Т624А-2 не более 0,015 г,
- 2Т624АМ-2, 2Т624АМ-2Н не более 0,004 г.
Технические условия: Я53.365.022 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т624АМ-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 450 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1000 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 100 мкА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 30...180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 9 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 18 пс
