2Т3129В9
Транзисторы 2Т3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.568 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3129В-9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
Транзисторы 2Т3129В9 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в низкочастотных усилителях, генераторах, импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-46А.
Технические условия: аА0.339.568 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т3129В-9:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 75 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 80... 250;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
