2Т211В-1
Транзисторы 2Т211В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на возвратной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: аА0.339.000 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т211В-1:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 25 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 нА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 160... 480;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц
Транзисторы 2Т211В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения во входных каскадах малошумящих усилителей герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с защитным покрытием и гибкими выводами.
Тип прибора указывается на возвратной таре.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: аА0.339.000 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т211В-1:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 25 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 10 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 15 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 нА (15В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 160... 480;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ
• Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 3 дБ на частоте 1 кГц
