2Т9127А
Транзисторы 2Т9127А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,025...1,15 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Транзисторы содержат согласующие цепи по выходу и входу.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Тип корпуса: КТ-55.
Технические условия: аА0.339.691 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9127А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 1151 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 38 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 70 мА (65В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5,64 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 550 Вт
Транзисторы 2Т9127А кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в импульсных усилителях мощности и генераторах в полосе частот 1,025...1,15 ГГц в схеме ОБ при напряжении питания 50 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Транзисторы содержат согласующие цепи по выходу и входу.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 5 г.
Тип корпуса: КТ-55.
Технические условия: аА0.339.691 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора 2Т9127А:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 1151 Вт;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 65 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 38 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 70 мА (65В);
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 5,64 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 550 Вт