МП25Б
Транзисторы МП25Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП25Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,8 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
Транзисторы МП25Б германиевые сплавные p-n-p универсальные низкочастотные.
Предназначены для усиления и переключения сигналов низкой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТЮ-3-6.
Технические условия: аА0.336.623 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора МП25Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 200 мВт;
• fh21б - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером и общей базой: не менее 0,5 МГц;
• Uкбо проб - Пробивное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо проб - Пробивное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 40 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 75 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером и общей базой соответственно: 30...80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 20 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,8 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 1500 пс
