КТ973Б
Транзисторы КТ973Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в выходных каскадах систем автоматики.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1 г.
Технические условия: аА0.336.453 ТУ.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).

Основные технические характеристики транзистора КТ973Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 8 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 45 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 4 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 1 мА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом;
• tрас - Время рассасывания: не более 200 нс