КТ961В
Транзисторы КТ961В кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 0,8 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.358 ТУ/04.
Основные технические характеристики транзистора КТ961В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 100...250;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
Транзисторы КТ961В кремниевые планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 0,8 г.
Тип корпуса: КТ-27-2 (ТО-126).
Технические условия: аА0.336.358 ТУ/04.
Основные технические характеристики транзистора КТ961В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 1 Вт;
• Рк и max - Максимально допустимая импульсная рассеиваемая мощность коллектора: 12,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 50 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 60 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 1,5 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 2 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: 100...250;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1 Ом
