КТ933А
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянных корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: аА0.336.312 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ933А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом
Транзисторы КТ933А, КТ933Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в широкополосных усилителях мощности и автогенераторах.
Выпускаются в металлостеклянных корпусах с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзисторов не более 1,5 г.
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: аА0.336.312 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ933А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 75 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 80 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,5 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 0,5 мА (80В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 70 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3,75 Ом
