КТ919Г
Транзисторы КТ919Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Транзисторы КТ919А, КТ919Б, КТ919В, КТ919Г предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах в СВЧ диапазоне 0,7...2,4 ГГц в схеме с общей базой.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с полосковыми выводами.
Обозначение типа транзистора приводится на верхней части корпуса.
Масса транзисторов не более 2,2 г.
Тип корпуса: КТ-20.
Технические условия: аА0.336.034 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ919Г:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 10 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1350 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 45 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,7 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 1,5 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мА (45В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 12 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 3 Вт на частоте 2 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 2,2 пс