КТ918Б-2
Транзисторы КТ918Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 1...3 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией и ленточными выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Технические условия: аА0.336.006 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ918Б-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 2,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (55В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 3 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
Транзисторы КТ918Б-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 1...3 ГГц в схеме с общей базой при напряжении питания 20 В в герметизированной аппаратуре.
Выпускаются в керамическом корпусе с частичной герметизацией и ленточными выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,15 г.
Технические условия: аА0.336.006 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ918Б-2:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 2,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 1000 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 2,5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,25 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 2 мА (55В);
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 4,2 пФ;
• Ку.р. - Коэффициент усиления мощности: не менее 2 дБ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,5 Вт на частоте 3 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс