КТ863Б
Транзисторы КТ863Б кремниевые мезаэпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для применения в преобразователях напряжения, источниках вторичного электропитания, электронных фотовспышках.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 2,5 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).

Основные технические характеристики транзистора КТ863Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 50 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 4 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 30 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 10 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мА (30В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 70;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,06 Ом