КТ829Б
Транзисторы КТ829Б кремниевые мезапланарные структуры n-p-n составные усилительные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, переключающих устройствах.
Корпус пластмассовый с жесткими выводами.
Масса транзистора не более 2 г.
Тип корпуса: КТ-28 (ТО-220).
Технические условия: аА0.336.292 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ829Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 60 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 4 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 80 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 8 А;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 12 А;
• Iкэr - Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: 1,5 мА (100В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 750;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 120 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 0,57 Ом