КТ645Б
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: аА0.336.333 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ645Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
Транзисторы КТ645Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в высокочастотных генераторах и усилителях, в быстродействующих импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92).
Технические условия: аА0.336.333 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ645Б:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 40 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 0,3 А;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (60В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 80;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ
