КТ640А-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных устройствах в диапазоне частот 1...7,2 ГГц в схеме ОБ в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы КТ640А-2, КТ640Б-2, КТ640В-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На транзисторы наносится условная маркировка:
  - КТ640А-2 - черная полоска,
  - КТ640Б-2 - белая полоска,
  - КТ640В-2 - синяя полоска.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора не более 0,2 г,
Тип корпуса: КТ-22.

Основные технические характеристики транзистора КТ640А-2 :
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,6 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 2100 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 25 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 60 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мА (25В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 15;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 1,3 пФ;
• Рвых - Выходная мощность транзистора: не менее 0,1 Вт на частоте 7 ГГц;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 0,6 пс