КТ632Б
Транзисторы КТ632Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях.
Транзистор 2Т632А, КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г,
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: аА0.336.432 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ632Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (120В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
Транзисторы КТ632Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в линейных широкополосных усилителях.
Транзистор 2Т632А, КТ632Б выпускаются в металлическом корпусе с гибкими выводами и стеклянными изоляторами.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 1,5 г,
Тип корпуса: КТ-2-7.
Технические условия: аА0.336.432 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ632Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 0,5 Вт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер: 120 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 100 мА;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 350 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА (120В);
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: более 50;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 25 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс
