КТ388БМ-2
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе КТ388БМ-2 и без кристаллодержателя КТ388Б-2.
Выпускаются в сопроводительной таре с возможностью измерения параметров без извлечения их из тары.
Коллектор электрически соединен с кристаллодержателем.
Тип прибора указывается на корпусе сопроводительной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: аА0.336.300 ТУ.
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты, импульсных и переключающих устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные на металлическом кристаллодержателе КТ388БМ-2 и без кристаллодержателя КТ388Б-2.
Выпускаются в сопроводительной таре с возможностью измерения параметров без извлечения их из тары.
Коллектор электрически соединен с кристаллодержателем.
Тип прибора указывается на корпусе сопроводительной тары.
Масса транзистора не более 0,01 г.
Технические условия: аА0.336.300 ТУ.