КТ363А
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора в не более 0,5 г,
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩТ0.336.014 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ363А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 1200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и сверхвысокой частот и переключающих устройствах.
Транзисторы КТ363А, КТ363Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на боковой поверхности корпуса.
Масса транзистора в не более 0,5 г,
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЩТ0.336.014 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ363А:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fh21э - Предельная частота коэффициента передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером: не менее 1200 МГц;
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном (конечном) сопротивлении в цепи база-эмиттер: 15 В (1кОм);
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 30 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,5 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 20...70;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 35 Ом
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 50 пс
