КТ352Б
Транзисторы КТ352Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
На корпусе наносится условная маркировка двумя цветными точками:
   - КТ352А - зеленой и розовой,
   - КТ352Б - зеленой и желтой.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: ЩТ3.365.058-7 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ352Б:
• Структура транзистора: p-n-p;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк и max - Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 200 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 70... 300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 15 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 3 Ом