КТ342ВМ
Транзисторы КТ342ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Для транзисторов в пластмассовом корпусе используется условная маркировка:
   - КТ342АМ - прямоугольный треугольник и буква «А»,
   - КТ342БМ - треугольник и буква «Б»;
   - КТ342ВМ - треугольник и буква «В»;
   - КТ342ГМ - треугольник и буква «Г»;
   - КТ342ДМ - треугольник и буква «Д».
Допускается также маркировка цветным кодом:
   - КТ342АМ - синяя метка на плоской части боковой поверхности корпуса и темно-красная на торце;
   - КТ342БМ - синяя и желтая метки;
   - КТ342ВМ - синяя и темно-зеленая метки.
Масса транзистора не более 0,3 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: ЖК3.365.227ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ342ВМ:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс