КТ342В
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в импульсных устройствах.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов КТ342А, КТ343Б, КТ342В, КТ342Г указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 0,5 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: ЖК3.365.227 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ342В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 300 МГц;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 50 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,05 мкА;
• h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 400... 1000;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 8 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 10 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 200 пс