КТ3126Б
Транзисторы КТ3126Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в генераторах, усилителях, преобразователях.
Транзисторы КТ3126А, КТ3126Б выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются условным кодом - квадратом на плоской части боковой поверхности корпуса, на транзисторах КТ3126Б дополнительно наносится точка на торце корпуса.
Транзистор КТ3126А9 выпускается в миниатюрном пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,3 г, в миниатюрном пластмассовом корпусе не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.428 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ3126Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 60... 180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 120 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
Транзисторы КТ3126Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p усилительные с ненормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в генераторах, усилителях, преобразователях.
Транзисторы КТ3126А, КТ3126Б выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Маркируются условным кодом - квадратом на плоской части боковой поверхности корпуса, на транзисторах КТ3126Б дополнительно наносится точка на торце корпуса.
Транзистор КТ3126А9 выпускается в миниатюрном пластмассовом корпусе с жесткими выводами.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса транзистора в пластмассовом корпусе не более 0,3 г, в миниатюрном пластмассовом корпусе не более 0,1 г.
Тип корпуса: КТ-26.
Технические условия: аА0.336.428 ТУ.
Основные технические характеристики транзистора КТ3126Б:
• Структура транзистора: p-n-p
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 150 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 3 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 20 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 1 мкА;
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 60... 180;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 2,5 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 120 Ом;
• tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 15 пс
