КТ3117Б
Транзисторы КТ3117Б кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n импульсные.
Предназначены для применения в импульсных и переключающих устройствах.
Транзисторы КТ3117А, КТ3117Б выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на корпусе и в этикетке.
Масса транзистора не более 0,4 г.
Тип корпуса: КТ-1-7.
Технические условия: аА0.336.262 ТУ.

Основные технические характеристики транзистора КТ3117Б:
• Структура транзистора: n-p-n
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 300 мВт;
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 200 МГц;
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 75 В;
• Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 400 мА;
• Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 10 мкА (75В);
h21Э - Статический коэффициент передачи тока для схемы с общим эмиттером в режиме большого сигнала: 100...300;
• Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 10 пФ;
• Rкэ нас - Сопротивление насыщения между коллектором и эмиттером: не более 1,2 Ом