504НТ3БС1 ВК
Микросхемы 504НТ3БС1 ВК представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
Тип корпуса: 3101.8-8.01.
Технические условия: АЕЯР.431410.179 ТУ.
Функциональным аналогом является микросхема 2Т3336.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
Микросхемы 504НТ3БС1 ВК представляют собой сильноточную согласованную пару полевых транзисторов с p-n переходом и р-каналом.
Предназначены для работы во входных каскадах усилителей постоянного тока, в дифференциальных и операционных усилителях и коммутаторах.
Тип корпуса: 3101.8-8.01.
Технические условия: АЕЯР.431410.179 ТУ.
Функциональным аналогом является микросхема 2Т3336.
Минимальный срок сохраняемости микросхем при их хранении:
- в отапливаемом хранилище или в хранилище с регулируемыми влажностью и температурой или местах хранения микросхем, вмонтированных в защищенную аппаратуру, или находящихся в защищенном комплекте ЗИП - 25 лет;
- в неотапливаемом хранилище - 16,5 лет;
- под навесом и на открытой площадке, вмонтированными в аппаратуру (в составе незащищенного объекта), или в комплекте ЗИП - 12,5 лет.
Срок сохраняемости исчисляется с даты изготовления, указанной на микросхеме.
